三星宣布7nm LPP量产!基于EUV光刻技术、性能增加20%

作者: 万南   来源: 快科技    [上传用户: H100]  阅读:

  10月18日早间消息,三星官方宣布,已经开始进行7nm LPP(Low Power Plus)工艺芯片的量产工作。

  据悉,三星的7nm LPP采用EUV光刻,机器采购自荷兰ASML(阿斯麦),型号为双工件台NXE:3400B(光源功率280W),日产能1500片。

  简单来说,EUV使用13.5nm波长的极紫外光曝光硅片,而传统的氟化氩(ArF)浸没式光刻则是依靠193nm波长,并且需要昂贵的多模掩模装置。EUV技术使得使用单个光罩来创建硅晶圆层成为可能,而ArF可能需要多达4倍的光罩才能创建相同的晶片。也就是说,与非EUV工艺相比,三星的7 LPP工艺可使光罩总数减少约20%,为客户能够节省时间和成本。

  三星透露,其从2000年左右就着手研究EUV技术了。

  技术指标上,对比10nm FinFET,三星7nm LPP可实现面积能效(同样复杂度为量纲)提升40%、性能增加20%、功耗降低最多50%。

  三星透露,基于EUV的7nm LPP成功量产为其推进3nm奠定了基础、指明了道路。产能方面,主要在韩国华城的S3工厂,2020年前会在开一条新产线。

  目前已知,高通新一代的5G基带会采用三星的7nm LPP工艺,看起来骁龙8150/8180等SoC希望也很大。

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